[반도체 공정]반도체 8대 공정
1. 반도체 8대 공정
1) 웨이퍼 제조
: 디스플레이 및 반도체 회로를 만드는 기판인 웨이퍼를 제조하는 공정 -> Go
2) 산화공정(Oxidation)
: 실리콘 웨이퍼 표면을 보호하는 산화막을 씌우는 공정 -> Go
3) 포토공정(Photolithography)
: 웨이퍼에 반도체 회로 패턴을 전사해 형성하는 공정 -> Go
4) 식각공정(Etching)
: 회로패턴 외의 부분을 깎아내는 공정 -> Go
5) 박막,확산& 이온주입공정(Thin film(Deposition),Diffusion&Implantation)
: 전기적 특성을 위한 금속& 회로간 분리와 보호를 위한 절연체 박막을 형성하는 공정 -> Go
, 부도체인 실리콘 웨이퍼가 전기적 특성을 갖도록 이온 불순물을 주입하는 공정 -> Go
6) 금속배선공정(Metallization)
: 전기적 신호를 전달하기 위한 금속 배선을 형성하는 공정 -> Go
7) EDS(Electrical Die Sorting)
: 제작된 개별 칩들의 전기적 특성을 검사해 불량 셀을 선별하는 공정
- 1단계 ET(Electrical Test) & WBI(Wafer Burn In) test
: ET- 트랜지스터, 저항 등 개별 소자들에 전기적 특성 테스트를 통해 동작 여부를 확인
WBI- 고온에서 전압을 가해 제품의 잠재적 불량을 확인
- 2단계 Pre-Laser(Hot,Cold): 고온, 저온의 특정 온도에서 전기적 신호를 통해 정상 동작 유무를 확인
- 3단계 Laser Repair & Post Laser: 수선이 가능한 칩을 수선 후 final test를 통해 양/불량을 최종 판단
- 4단계 Inking: 불량 칩에 특수 잉크를 찍어 육안으로 식별 할 수 있도록 함
8) 패키징(Packaging)
: 외부 전원과 전기적으로 연결하고 외부로부터 보호하기 위한 공정
2. Front end 공정 & Back end 공정
: 반도체 공정은 Front end 공정(전공정)과 Back end 공정(후공정)으로 나뉜다.
1) Front end 공정(전공정)
- FEOL(Front End Of Line)
: 기판공정
Epi-> Isolation-> Well formation-> Gate & Junction-> Salicide(self-aligned silicide)
-> Contact & PMD(Pre Metal Dielectric)
- Isolation 공정: 소자 간을 물리적, 전기적으로 분리시켜 오작동을 막는 핵심공정
- Well formation 공정: N-MOS, P-MOS transistors 형성을 위한 공정
- Gate & Junction 공정: gate oxidation, gate, LDD, sidewall spacers, source and drain 형성으로 이루어진다.
소자의 고집적화, 고성능화로 정확한 미세 profile control과 낮은 저항, 전류누설 방지 등이 중요
- Salicide(self-aligned silicide) 공정: 소자의 소스/드레인 영역, 게이트 배선의 저항을 낮추기 위한 공정
- Contact & PMD 공정: 전기적 연결을 위한 Contact 형성 및 절연을 위한 PMD 형성
- BEOL(Back End Of Line)
: 배선공정(Interconnection)
2) Back end 공정(후공정)
: EDS-> 패키징-> 패키징 테스트