Semiconductor/소자 (3) 썸네일형 리스트형 [반도체 소자] PN Junction 1. PN Junction - Junction: 전기적 종류가 다른 두 영역이 만나는 계면 1) PN Junction : P-type, N-type을 접합한 구조 - P-type, N-type을 접합한 경우 캐리어의 농도 차이로 인한 확산이 일어남 접합부의 정공과 전하가 넘어온 캐리어로 인해 상쇄되며 공핍층 형성 P-type 쪽은 정공으로 인해 (+), N-type쪽 은 전자로 인해 (-)로 대전되며 전위차 발생 Buit In Potential 발생 - 공핍층(Depletion layer): free carrier 가 존재하지 않는영역(전자 수=정공 수-> 중성) 공핍층 폭(Wdep) - Buit In Potential(=junction voltage, potential barrier) =kT*ln(Np.. [반도체 소자] 반도체 기초-2 2. 캐리어(Carrier) : 전하 운반자, 정공&전자 (hole & electron) 1) 캐리어의 운동 - 캐리어의 열적 운동: 열에너지에 의한 랜덤 운동-> net 속도=0-> 전류 x - Drift: 외부전계 인가에 의한 운동 - Drift 속도: v(n)=-µ(n)*E v(p)=µ(p)*E 강전계 (10^3V/cm) 이상시 속도 포화-에너지가 격자로 전달되기 때문 - 캐리어 이동도(µ, carrier mobility) : 정공 이동도 µ(p) 불순물 산란(Impurity scattering) 줄어듬-> 이동도 증가 어느 정도 이상 고온 시 이동도 감소- 고온으로 인한 격자진동-.. [반도체 소자] 반도체 기초-1 1. 반도체 : 도체와 부도체 사이 비저항을 가지는 물질 또는 그러한 물질을 이용해 외부 전기신호를 전달, 증폭하는 소자 1) 발전방향 - 무어의 법칙: 반도체 집적도가 1년 6개월마다 2배씩 증가한다는 법칙 인텔의 고든 무어가 1965년에 주장한 후 반도체 기술은 무어의 법칙을 따라 발전해왔다. - 반도체 미세화(Shrink) : 하나의 웨이퍼 당 생성되는 Die 수 증가로 가격 감소 트랜지스터의 채널이 짧아질수록 전자이동거리가 감소해 소비전력 감소, 발열 감소, 성능 증가 - Node: 원래 채널 선폭(게이트 길이)의 절반을 의미 , 그러나 최근에는 공정스케일과 노드 명칭이 일치하지 않고 있으며 회사마다 명칭이 다르다. 2) Si - 원자번호 14 - 최외각 전자 4개, 주위 4개 원자와 결합 - 다.. 이전 1 다음
