반도체 반도체8대공정 (1) 썸네일형 리스트형 [반도체 공정] 세정공정(Cleaning)-2 2. 습식세정법 표준 웨이퍼 클리닝에 사용된 화학 물질은 지난 30년 동안 크게 변하지 않음 1) RCA Cleaning (산업 표준 습식세정과정) : 미국 RCA사에서 개발 과산화수소(H2O2)를 기반으로 수산화암모늄(NH4OH), HCl을 이용해 유기. 무기물을 제거하는 방법 세정 후 공기 노출 최소화로 산화막 성장 및 오염 재부착 방지 소자 미세화로 세정액의 농도, 온도 낮아지는 추세 Front-End Process SC1->QDR-> SC2-> QDR-> DHF-> QDR SC-1 (APM, 암모니아 세정) NH4OH, H2O2, H2O (일반적 1:1:5) Organic, Ⅰ/Ⅱ 족 금속, Particle제거 H2O2를 통한 산화 후 NH4OH를 통한 식각 후 박리로 오염 제거 60℃ 이상의 고.. 이전 1 다음
