세정공정 (3) 썸네일형 리스트형 [반도체 공정] 세정공정(Cleaning)-3 3) 기계적 세정 - Back-End Proces는 금속의 용해, 부식 위험으로 주로 기계적 세정 사용 - Scrubbing: 회전하는 스크럽 브러시를 이용해 표면 미립자(>1um) 제거 Surface scratching 유의 - High Pressure Fluid Jet: DI water or Organic solvents를 고압 분사 Shear forces effectively dislodge submicron particles penetrate into dense topography - Dry Ice Snow: 액체 CO2가 표면에서 dry ice snow 형성, 불어서 날림으로서 오염물질 제거 - 울트라 소닉, 메가 소닉: 초음파 에너지를 이용한 세정 자동화가 용이, 미세한 구조에도 침투해 정밀 .. [반도체 공정] 세정공정(Cleaning)-2 2. 습식세정법 표준 웨이퍼 클리닝에 사용된 화학 물질은 지난 30년 동안 크게 변하지 않음 1) RCA Cleaning (산업 표준 습식세정과정) : 미국 RCA사에서 개발 과산화수소(H2O2)를 기반으로 수산화암모늄(NH4OH), HCl을 이용해 유기. 무기물을 제거하는 방법 세정 후 공기 노출 최소화로 산화막 성장 및 오염 재부착 방지 소자 미세화로 세정액의 농도, 온도 낮아지는 추세 Front-End Process SC1->QDR-> SC2-> QDR-> DHF-> QDR SC-1 (APM, 암모니아 세정) NH4OH, H2O2, H2O (일반적 1:1:5) Organic, Ⅰ/Ⅱ 족 금속, Particle제거 H2O2를 통한 산화 후 NH4OH를 통한 식각 후 박리로 오염 제거 60℃ 이상의 고.. [반도체 공정] 세정공정(Cleaning)-1 1. 세정공정(Cleaning) : Wafer 표면 오염을 방지, 또는 제거함으로써 후속 공정 진행을 용이하게 하고 , 반도체 소자의 전기적, 물리적 특성을 향상 소자 제조 공정 중 약 20%를 차지-Pre/Post cleaning 소자의 고집적화에 따른 공정 수 증가로 중요도 증가 주요인자: Chemical element & Composition Ratio, 세정 순서, 온도 UCT(Ultraclean Clean Technology) - Ultraclean Wafer Surface - Ultraclean Processing Environment - Perfect Parameter Controlled Process 1) 오염 종류 Particle 대기 중에 떠있는 먼지, 장비나 사람에게 발생하는 먼지 입.. 이전 1 다음
