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Lithography

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[반도체 공정] 포토공정(Photolighography)-2 3. Mask(=Reticle) : 반도체 회로정보담고있음 - 낮은 열팽창계수, 기판의 높은 투과율, 차광막의 낮은 투과율, 내구성이 요구됨 1) 종류 투과형: 빛을 투과시키는 투명 Quarz 기판에 금속막을 통해 빛을 차단하는 형태 금속막은 일반적으로 Cr을 이용 E-beam Lithography를 통해 제작한다 반사형(EUV): EUV는 대부분의 물질에 의해 흡수되므로 반사형의 마스크가 필요하다. Multilayer로 이루어진다. 2) Pellicle(펠리클) : Photo Mask의 표면을 대기 중의 Particle로 인한 오염으로부터 보호 펠리클 표면에 이물질이 묻어도 초점거리에서 벗어나게해 공정에 영향을 미치지 않게함 알루미늄 프레임에 셀룰로오스 등의 박막이 부착됨 - 반도체 제품 생산 수율 향..
[반도체 공정] 포토공정(Photolithography)-1 1. Photo (=Lithography) 공정 : Etching, Implantation 위한 패턴 전사하는 노광공정 반도체의 꽃! 작은 패턴 결정 1) Photo room(=Yellow room) : 포토공정은 노란 조명에서 이루어짐 PR이 강한 에너지인 흰빛에 반응하기 때문이다. 2) 분류 : Opical(photolithography), Radiation(x-ray, 전자빔), Non-optical(차세대) 가장 중요한 것=광원! Photo종류는 파장 따라 나뉨 - 수은 Lamp (NUV,자외선 광원): G-line(457nm), I-line(365nm) - Excimer laser (DUV,원자외선 광원)- KrF(248nm), ArF(193nm), ArFi(~38nm) - EUV(극자외선, 1..

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