ale (1) 썸네일형 리스트형 [반도체 공정] 식각공정(Etching)-3 6. RIE(Reactive Ion Etching) 공정 1) 공정 CCP(Capacitively Coupled Plasma type) ICP(Inductively Coupled Plasma type) 평행 평판 구조 그라운드 전극 위에 wafer 위치 두 전극간에 인가된 전계에 의한 방전 코일에 전류를 흘려 자기장 인가, 플라즈마 형성 CCP type bias 따로 인가됨 장: 이온 에너지를 충분히 높일 수 있음 작동 간단, 대면적 가능 단: Plasma density와 Sheath 전압 따로 control 불가 -> 복잡한 구조 etch에 한계 장: Plasma density와 Sheath 전압 따로 control 가능 -> 선택비↑ 이용: Dielectric - 단단한 물질-> 높은 이온 에너지 필.. 이전 1 다음
