cvd (2) 썸네일형 리스트형 [반도체 공정] 박막공정(Thin film, Deposition)-3 4. HDP-CVD(High Density Plasma CVD) - STI, IMD, ILD 등에 이용 - CVD증착과 Sputter식각을 동시에 진행 (Dep-Etch-Dep)n 저압: 식각 효율 위해 식각시 사용하는 이온의 직진성 확보 위함 -> But, 저압 시 플라즈마 밀도 저하 -> 고밀도 플라즈마와 높은 이온 에너지를 통한 직진성 확보가 가능한 ICP 주로 이용 반응물의 입사각 45°에서 가장 식각 속도 높음 -> 패턴 위로 삼각형의 박막 형성 - 장점: 우수한 Gap fill 특성 Dopant Control 용이 단점: 느린 속도 Sputtering으로 인한 온도 증가-> 냉각 필요 플라즈마로 인한 표면 damage 5. MOCVD(Metal Oxide CVD) - 디스플레이, 화합물 반도체.. [반도체 공정] 박막공정(Thin film, Deposition)-2 3. CVD (Chemical vapor deposition, 화학 기상 증착) : 기판 표면에서 기체 반응 가스 (전구체)의 화학반응을 통한 증착 방법 1) 반응 - Gas phase reaction (Homogeneous, 균질 반응): Gas phase에서의 반응으로 solid 생성 후 wafer 표면에 부착됨 균일도, Particle 문제 Solid surface reaction(Heterogeneous, 이종 반응): wafer 표면에서 반응해 박막으로 증착됨, 바람직 - Reaction - 크게 3 단계로 이루어짐 : Mass Transfort-> Surface rxn-> Surface desorption Mass Transfort(질량 전달): 반응 가스가 대류에 의해 챔버 내로 유입 -> .. 이전 1 다음
