oxidation (1) 썸네일형 리스트형 [반도체 공정] 산화공정(Oxidation) 1. 산화공정(Oxidation) 1) SiO2 - Amorphous - 연속적인 random network tetrahedral 구조 - 높은 녹는점 - 절연 상수 3.8-3.9 - 에너지 밴드갭 8 - 굴절률 1.46 - Si와의 우수한 식각 선택비 - 밀도 ox< 밀도 si - 이온주입/확산 마스크, 식각 마스크, Isolation에 이용 2. Thermal Oxidation : 고온에서 O2 또는 H2O에 노출하여 oxide를 형성하는 공정 Si 46% 소비 1) 이용 - 얇은 표면 보호막: liner 산화막- 트렌치 측벽 및 바닥 결함 제거, CVD산화막의 불순물이 기판 전이 방지 패드 산화막- 층간 스트레스 완화 희생 산화막- 이온주입에 의한 실리콘 표면 손상 및 채널링 문제 방지 - 게이트 .. 이전 1 다음
