본문 바로가기

thinfilm

 (3)
[반도체 공정] 박막공정(Thin film, Deposition)-3 4. HDP-CVD(High Density Plasma CVD) - STI, IMD, ILD 등에 이용 - CVD증착과 Sputter식각을 동시에 진행 (Dep-Etch-Dep)n 저압: 식각 효율 위해 식각시 사용하는 이온의 직진성 확보 위함 -> But, 저압 시 플라즈마 밀도 저하 -> 고밀도 플라즈마와 높은 이온 에너지를 통한 직진성 확보가 가능한 ICP 주로 이용 반응물의 입사각 45°에서 가장 식각 속도 높음 -> 패턴 위로 삼각형의 박막 형성 - 장점: 우수한 Gap fill 특성 Dopant Control 용이 단점: 느린 속도 Sputtering으로 인한 온도 증가-> 냉각 필요 플라즈마로 인한 표면 damage 5. MOCVD(Metal Oxide CVD) - 디스플레이, 화합물 반도체..
[반도체 공정] 박막공정(Thin film, Deposition)-2 3. CVD (Chemical vapor deposition, 화학 기상 증착) : 기판 표면에서 기체 반응 가스 (전구체)의 화학반응을 통한 증착 방법 1) 반응 - Gas phase reaction (Homogeneous, 균질 반응): Gas phase에서의 반응으로 solid 생성 후 wafer 표면에 부착됨 균일도, Particle 문제 Solid surface reaction(Heterogeneous, 이종 반응): wafer 표면에서 반응해 박막으로 증착됨, 바람직 - Reaction - 크게 3 단계로 이루어짐 : Mass Transfort-> Surface rxn-> Surface desorption Mass Transfort(질량 전달): 반응 가스가 대류에 의해 챔버 내로 유입 -> ..
[반도체 공정] 박막공정(Thin film, Deposition)-1 1. 박막 공정 : 1 µm이하 얇은 두께 필름을 화학적, 물리적 방법을 통해 증착하는 공정 1) 분류 - 기상: PVD, CVD - 액체: 도금, 졸. 겔 2) 주요 인자: 원소, 진공 , 압력, 온도 3) 증착속도 - 압력, 온도, 가스량, 플라즈마 등에 의존 2. 품질 특성 1) 박막 결정 구조 : 결정구조, Grain Size(결정립), Defect -결정구조: Epitaxy-단결정/대부분의 금속-다결정/SiO2-비정질 기판에 흡착된 흡착 원자(Adatom)의(Adatom) 이동도에 의존 -Grain Size(결정립): 박막 두께, 증착 온도와 비례 입자의 표면 모빌리티 증가 때문 증착 초기 온도가 최종 결정입계 크기 결정에 중요 역할 2) Adhesion(접착력) - 물리적 흡착-> 약함 화학적..

티스토리툴바