분류 전체보기 (26) 썸네일형 리스트형 [반도체 공정] 세정공정(Cleaning)-2 2. 습식세정법 표준 웨이퍼 클리닝에 사용된 화학 물질은 지난 30년 동안 크게 변하지 않음 1) RCA Cleaning (산업 표준 습식세정과정) : 미국 RCA사에서 개발 과산화수소(H2O2)를 기반으로 수산화암모늄(NH4OH), HCl을 이용해 유기. 무기물을 제거하는 방법 세정 후 공기 노출 최소화로 산화막 성장 및 오염 재부착 방지 소자 미세화로 세정액의 농도, 온도 낮아지는 추세 Front-End Process SC1->QDR-> SC2-> QDR-> DHF-> QDR SC-1 (APM, 암모니아 세정) NH4OH, H2O2, H2O (일반적 1:1:5) Organic, Ⅰ/Ⅱ 족 금속, Particle제거 H2O2를 통한 산화 후 NH4OH를 통한 식각 후 박리로 오염 제거 60℃ 이상의 고.. [반도체 공정] 세정공정(Cleaning)-1 1. 세정공정(Cleaning) : Wafer 표면 오염을 방지, 또는 제거함으로써 후속 공정 진행을 용이하게 하고 , 반도체 소자의 전기적, 물리적 특성을 향상 소자 제조 공정 중 약 20%를 차지-Pre/Post cleaning 소자의 고집적화에 따른 공정 수 증가로 중요도 증가 주요인자: Chemical element & Composition Ratio, 세정 순서, 온도 UCT(Ultraclean Clean Technology) - Ultraclean Wafer Surface - Ultraclean Processing Environment - Perfect Parameter Controlled Process 1) 오염 종류 Particle 대기 중에 떠있는 먼지, 장비나 사람에게 발생하는 먼지 입.. [반도체 공정] 도핑공정(Ion implantation)-2 4. 이온주입 분포 1) 가우스 분포 함수 - Range(R): Ion이 멈출 때까지 거리 - Projectied Range(Rp): Ion 주입 방향 평균 투과 범위 Projectied Struggle(△Rp): 주입 방향 통계적 변동 Projectied Lateral(△Rￌ): 주입에 수직 한 방향 분포, 소형화 한계 2) 이온 정지 이론 - Nuclear Stopping: Ion이 격자 원자의 핵과 충돌 격자 손상 발생 Electron Stopping: Ion이 격자원자의 전자와 상호 작용 - 무거운 이온, 작은 이온 에너지-> Nuclear Stopping 가벼운 이온, 큰 이온 에너지-> Electron Stopping - 이온 주입 손상 : 주입된 이온이 원자핵과 충돌-> 결정 원자가 격자 위.. [반도체 공정] 도핑공정(Ion implantation)-1 1. 도핑 공정(Doping) : 불순물을 넣어 소자가 전도성 갖도록 활성화시키는 공정 주요 영향 인자: Atomic element, Ion E, Dose, tilt 이용: Well, LDD, Gate ox LDD(Lightly Doped Drain): 미세화에 따라 소스/드레인 간격 감소하며 내부전계 증가 -> Hot carrier 발생-> 게이트 산화막 뚫고 지나가 소자의 열화 촉진 방지 위해 채널과의 경계면에 LDD 형성-> 채널 영역과 경계의 전계 세기를 감소 소스/드레인의 높은 도핑농도와 채널의 낮은 도핑농도 사이의 농도 가짐 1) Dopant : 도핑에 사용하는 불순물 - P-type: 최외각 전자 3개 Si에 주입 시 전자 3개는 공유결합하고 전자 1개가 빈 상태-> Acceptor 3가 B.. [반도체 공정] 포토공정(Photolithography)-3 6. RET(Resolution Enhanced Technology) - 포토공정 KPI: Resolution(분해능)- 구현 최소 크기 DOF(초점심도)- 초점 여유도 DOF margine 넓다=어느 정도 초점 흔들려도 비교적 선명한 pattern 현상된다. - Trade off관계 : Resolution(R)=k x λ/NA DOF~λ/(NA)^2 - 이론 한계: k1= 0.25 λ= EUV(13.5nm) NA=1.0 - R 향상 방법: 단파장화, 렌즈의 고 NA화, k 감소(OPC, PSM..) 1) λ, 단파장화 EUV(13.5nm) - 장점: 분해능 향상, Uniform, DP 사용 x-> 비용 절감 - EUV 핵심: Laser 광원 바로 만들어지지 x LPP(Laser Produced Plas.. [반도체 공정] 포토공정(Photolighography)-2 3. Mask(=Reticle) : 반도체 회로정보담고있음 - 낮은 열팽창계수, 기판의 높은 투과율, 차광막의 낮은 투과율, 내구성이 요구됨 1) 종류 투과형: 빛을 투과시키는 투명 Quarz 기판에 금속막을 통해 빛을 차단하는 형태 금속막은 일반적으로 Cr을 이용 E-beam Lithography를 통해 제작한다 반사형(EUV): EUV는 대부분의 물질에 의해 흡수되므로 반사형의 마스크가 필요하다. Multilayer로 이루어진다. 2) Pellicle(펠리클) : Photo Mask의 표면을 대기 중의 Particle로 인한 오염으로부터 보호 펠리클 표면에 이물질이 묻어도 초점거리에서 벗어나게해 공정에 영향을 미치지 않게함 알루미늄 프레임에 셀룰로오스 등의 박막이 부착됨 - 반도체 제품 생산 수율 향.. [반도체 공정] 포토공정(Photolithography)-1 1. Photo (=Lithography) 공정 : Etching, Implantation 위한 패턴 전사하는 노광공정 반도체의 꽃! 작은 패턴 결정 1) Photo room(=Yellow room) : 포토공정은 노란 조명에서 이루어짐 PR이 강한 에너지인 흰빛에 반응하기 때문이다. 2) 분류 : Opical(photolithography), Radiation(x-ray, 전자빔), Non-optical(차세대) 가장 중요한 것=광원! Photo종류는 파장 따라 나뉨 - 수은 Lamp (NUV,자외선 광원): G-line(457nm), I-line(365nm) - Excimer laser (DUV,원자외선 광원)- KrF(248nm), ArF(193nm), ArFi(~38nm) - EUV(극자외선, 1.. [반도체 공정] 웨이퍼(Wafer)-3 7. Wafer defect 1) Defect의 종류 : Point defect Line defect- Edge/ Screw Dislocations Plane defect-Stacking fault, Twin Volume Defects -문제: 소자의 전기적 특성 떨어짐, 제대로 동작하지 못함 Dislocation경우 원자배열층 어긋나 기계적 스트레스 많이 받기 때문에 신뢰성 떨어짐 2) Crystal defects Grown-in defects - DZ(Denuded Zone): Defect가 존재하지 않는 구역 - Macro defects: Dislocation, OISF, Air Pocket - Micro defects : BMD, COP, FPD, LSTD... OP(Oxygen Precipita.. 이전 1 2 3 4 다음 목록 더보기
