분류 전체보기 (26) 썸네일형 리스트형 [반도체 공정] 웨이퍼(Wafer)-2 4. Wafer Preparation 웨이퍼는 잉곳을 Slicing 한 원판의 표면을 연마하여 만들어진다. 잉곳: Si 단결정 기둥 1) 잉곳(Ingot) 제작법 - CZ(Czovhoralski) method Floating zone method 두가지 방법이 있으며 Floating zone method가 더 고순도의 잉곳 제작이 가능하가 공정 비용으로 인해 대표적으로 CZ(Czovhoralski) method가 사용된다. CZ(Czovhoralski) method : 크게 세 단계 Growing-> Shaping-> Polishing로 이루어진다. 1.Polysilicon Charging in Crucible 2.Polysilicon Melting(1400도)- 단결정 위해 매우 고온이 필요 3.Cry.. [반도체 공정] 웨이퍼(Wafer) -1 1. Wafer란? : 태양전지, 디스플레이 및 반도체 회로를 만드는 기판 - Foup(박스), Lot(wafer 25매) - 최근 단결정 Si {100} 300mm(12”) 주로 사용 결정면 (100) 사용 이유- Die sawing 유리- (111)은 방사형으로 쪼개짐 불포화 결합농도와 경계면 Trap낮음 전자 mobility (100)>(111)>(110) 2. 종류 1) 기반 물질에 따른 분류 - 실리콘: P-type/N-type 비실리콘: Ge, 석영, 사파이어 등 2) Si Wafer의 공정에 따른 분류 - 연마 웨이퍼: 한쪽 면 또는 양면을 연마 실리콘 웨이퍼 중 가장 보편적 12인치 이상부터 양면 연마 웨이퍼가 주로 쓰인다. - 에피 웨이퍼: 고온에서 기존 웨이퍼 표면 위에 고순도의 단결정.. 이전 1 2 3 4 다음
